SiC 모듈

1) 특징

□ Full SiC MOSFET 모듈(SiC MOSFET + SiC SBD)

□ AlN 기판을 사용한 초저열저항(Rth(j-c))

□ AlSiC 베이스 플레이트를 사용하여 열 사이클 견고성 및 패키지 평탄도 향상

□ 분산 Rg 선택 가능

2) 라인업

□ 650V 900A 하프 브리지 모듈(SPX900GB65S6)

□ 1200V 300A 하프 브리지 모듈(SPX300GB120S6)

□ 1200V 450A 하프 브리지 모듈(SPX450GB120S6)

□ 1200V 600A 하프 브리지 모듈(SPX600GB120S6)

MOSFET 모듈

1) 특징

□ 적용분야 :저전압 배터리 전원 변환 시스템

□ 초저 Rds(on)

□ AlSiC 베이스 플레이트를 사용하여 열 사이클 견고성 및 패키지 평탄도 향상

□ UL1557 인증

2) 라인업

□ 100V 300A 1팩 모듈 (SPS300GS10S7) :Rds(on)=1.2mΩ,Id=372A @Tc=80℃

□ 100V 150A 6-PACK 모듈 (SPS150GE10S4A) :Rds(on)=2.2mΩ,Id=179A @Tc=80℃

□ 100V 600A 2팩 모듈 (SPS600GB10S8) :Rds(on)=1.0mΩ,Id=697A @Tc=80℃

□ 150V 500A 2팩 모듈 (SPS500GB10S8) :Rds(on)=1.4mΩ,Id=531A @Tc=80℃

□ 200V 400A 2팩 모듈 (SPS400GB10S8) :Rds(on)=2.5mΩ,Id=379A @Tc=80℃

□ 100V 600A 6-PACK 모듈 (SPS600GB10SA) :Rds(on)=1.0mΩ,Id=697A @Tc=80℃

양산 중인 파워 모듈

□ IGBT 모듈(600V ~ 1700V)

□ Si SBD 모듈(100V ~ 200V)

□ 다이오드 / 정류기 모듈 (400V ~ 1600V)

□ MOSFET 모듈(80V ~ 950V)